盘点c）扭转卷曲过程的示意图。
在Nat.Energy,Nat.Nanotech.、｜涉输配Nat.Commun.、｜涉输配Chem.Rev.、Prog.Mater.Sci.、Adv.Mater.、J.Am.Chem.Soc.、Angew.Chem.In.Ed.、NanoLett.、EnergyEnviron.Sci.、ACSNano、Adv.EnergyMater.、Adv.Funct.Mater.、和NanoEnergy等国际学术期刊上发表300余篇学术论文,被SCI引用16600余次，H-index达到67。为了验证这一猜想，电行我们制备并表征了相关的实验样品具有本征锗碲的晶体学和微结构特点。
尽管过渡金属掺杂可以通过多种潜在机理提高热电优值，份发展方案掺杂后的锗碲具有类似的电子品质因子和塞贝克系数-输出因子关系。其中Lorentz常数由实验测试的塞贝克系数拟合得出，规划具有半导体性质的随温度变化趋势。图3a-c总结了样品的塞贝克系数，盘点电导率和输出因子随温度变化的趋势。
图1c和1d计算了钽掺杂对锗碲的电荷分布，｜涉输配电子能带和态密度的影响，｜涉输配说明了钽掺杂可以引发周围电荷的局域-离域起伏，同时促进能带收敛以提高态密度有效质量和塞贝克系数。本工作提出的钽掺杂锗碲也基本符合以上关系，电行同时，额外合金化锑可以显著降低电子品质因子和优化塞贝克系数到最优值约220μV·K-1。
进一步合金化锑，份发展方案电导率由于异价掺杂显著降低，份发展方案同时塞贝克系数由于晶格结构的调整明显增加，因此钽掺杂和锑合金化的锗碲样品具有超过40μWcm-1K-2的高输出因子。
通过第一原理计算和输运公式模拟，规划过渡金属钽被预测是一种新型掺杂元素改善锗碲基热电材料性能。【引语】干货专栏材料人现在已经推出了很多优质的专栏文章，盘点所涉及领域也正在慢慢完善。
然后，｜涉输配使用高斯混合模型对检测到的缺陷结构进行无监督分类（图3-12），并显示分类结果可以与特定的物理结构相关联。一旦建立了该特征，电行该工作流程就可以量化具有统计显着性和纳米级分辨率的效应。
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